Datasheet > MIG100Q6CMB1X

MIG100Q6CMB1X

更新时间： 2024-02-26 12:06:56

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	159K
描述
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MIG100Q6CMB1X 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.73
模拟集成电路 - 其他类型：	AC MOTOR CONTROLLER	JESD-30 代码：	R-XXMA-X25
功能数量：	1	端子数量：	25
最大输出电流：	100 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	16.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	13.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	15 V
表面贴装：	NO	技术：	HYBRID
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
Base Number Matches：	1

MIG100Q6CMB1X 数据手册

MIG100Q6CMB1X

TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT

MIG100Q6CMB1X (1200V/100A 6in1)

High Power Switching Applications

Motor Control Applications

Integrates inverter power circuits and control circuits (IGBT drive units, protection units for short-circuit

current, over current, under voltage and over temperature) in one package.

The electrodes are isolated from case.

= 2.4 V (typ.)

CE (sat)

UL recognized File No. E87989

Weight: 385 g (typ.)

Equivalent Circuit

12 11 10

FO IN

GND

FO IN

GND

OUT

FO IN

GND

OUT

GND IN FO V

OUT

GND

OUT

GND

OUT

GND

OUT

(U)

FO (U)

(W)

10. FO (W) 11.

17. IN (X) 18.

IN (U)

4. GND (U) 5.

(V)

12. GND (W) 13.

19. IN (Z) 20. GND (L)

FO (V)

IN (V)

8. GND (V) 9.

15. Open 16.

IN (W)

IN (Y)

(L)

14.

FO (L)

Open

2002-02-27

12 3 4 5 6 7...11

下载PDF

与MIG100Q6CMB1X相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MIG10J503	TOSHIBA	TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE	获取价格
MIG10J503H	TOSHIBA	TRANSISTOR,IGBT POWER MODULE,COMPLEX BRIDGE,600V V(BR)CES,10A I(C)	获取价格
MIG10J503L	MITSUBISHI	Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES	获取价格
MIG10J503L	TOSHIBA	TRANSISTOR,IGBT POWER MODULE,COMPLEX BRIDGE,600V V(BR)CES,10A I(C)	获取价格
MIG10J504H	TOSHIBA	TRANSISTOR,IGBT POWER MODULE,COMPLEX BRIDGE,600V V(BR)CES,10A I(C)	获取价格
MIG10J805	TOSHIBA	TRANSISTOR IGBT, Insulated Gate BIP Transistor	获取价格