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JAN1N5802

更新时间: 2024-01-11 13:18:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管军事功效超快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 133K
描述
MILITARY APPROVED, HIGH EFFICIENCY, 2.5 AMP AND 6.0 AMP

JAN1N5802 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.7
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

JAN1N5802 数据手册

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