2N7228U

更新时间： 2024-02-02 09:52:31

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N-CHANNEL MOSFET

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2N7228U 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.64
雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.515 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	R-MSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	300 ns
最大开启时间（吨）：	225 ns	Base Number Matches：	1

2N7228U 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

N-CHANNEL MOSFET

Qualified per MIL-PRF-19500/592

DEVICES

LEVELS

JAN

2N7228 2N7228U

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Drain – Source Voltage

Symbol

V_DS

Value

500

Unit

Vdc

Gate – Source Voltage

V_GS

± 20

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

P_tl

12.0

8.0

Adc

T_C= +25°C

T_C= +100°C

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

Max. Power Dissipation

150 ⁽¹⁾

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

0.415 ⁽²⁾

TO-254AA

T_op, T_stg

-55 to +150

°C

Note: (1) Derated Linearly by 1.2 W/°C for T_C> +25°C

(2) V_GS= 10Vdc, I_D= 8A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

V_GS= 0V, I_D= 1mAdc

V_(BR)DSS

500

Vdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA

V_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= +125°C

_DS≥ V_GS, I_D= 0.25mA, T_j= -55°C

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

2.0

1.0

4.0

5.0

Vdc

Gate Current

_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

U-PKG (U3)

TO-276AB

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

nAdc

Drain Current

V_GS= 0V, V_DS= 400V

I_DSS1

I_DSS2

0.25

µAdc

mAdc

V_GS= 0V, V_DS= 400V, T_j= +125°C

Static Drain-Source On-State Resistance

_GS= 10V, I_D= 8.0A pulsed

r_DS(on)1

r_DS(on)2

0.415

0.515

V_GS= 10V, I_D= 12.0A pulsed

T_j= +125°C

V_GS= 10V, I_D= 8.0A pulsed

r_DS(on)3

V_SD

0.90

1.7

Diode Forward Voltage

V_GS= 0V, I_D= 12A pulsed

Vdc

T4-LDS-0051 Rev. 1 (072808)

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