2N6298

更新时间： 2024-01-28 02:16:35

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描述
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

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2N6298 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.07	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	750	JEDEC-95代码：	TO-66
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

2N6298 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 540

Devices

Qualified Level

JAN

2N6298

2N6299

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N6298 2N6299 Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

Vdc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

Vdc

5.0

120

8.0

Vdc

mAdc

Adc

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation @ T_C= 0⁰C ⁽¹⁾

⁰C

P_T

T_C= 100⁰C

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +175

T_OP_,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

TO-66* (TO-213AA)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Derate linearly 0.428 W/⁰C above T_C> 0⁰C

2.33

qJC

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

2N6298

2N6299

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 30 Vdc

V_CE= 40 Vdc

0.5

mAdc

2N6298

2N6299

I_CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 60 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 80 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

0.5

mAdc

2N6298

2N6299

I_CEX

2.0

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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