2N4416A

更新时间： 2024-02-11 01:15:18

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号场效应晶体管放大器
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2页	51K
描述
N-CHANNEL J-FET

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2N4416A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-72
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.04
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	0.015 A	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	1 pF	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-72	JESD-30 代码：	O-MBCY-W4
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	4 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON

2N4416A 数据手册

TECHNICAL DATA

N-CHANNEL J-FET

Qualified per MIL-PRF-19500/ 428

Devices

Qualified Level

JAN

2N4416A

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameters / Test Conditions

Symbol

2N4416A

Unit

Gate-Source Voltage

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

Gate Current

V_GS

V_DS

V_DG

I_G

-35

300

Vdc

mAdc

mWdc

⁰C

TO-72*

(TO-206AF)

Power Dissipation

T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

P_T

Operating Junction & Storage Temperature Range T_op, T_stg-65 to +200

(1) Derate linearly 1.7 mW/⁰C for T_A> +25⁰C.

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25⁰C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Gate-Source Breakdown Voltage

V_DS= 0, I_G= 1.0 mAdc

Gate Reverse Current

V_DS= 0, V_GS= 20 Vdc

Drain Current

Symbol

V_(BR)GSS

I_GSS

Min.

Max.

Units

-35

Vdc

-0.1

hAdc

mAdc

V_DS= 15 Vdc

I_DSS

Gate-Source Voltage

V_DS= 15 Vdc, I_D= 0.5 mAdc

Gate-Source Cutoff Voltage

V_DS= 15 Vdc, I_D= 1.0 hAdc

Gate-Source Forward Voltage

V_DS= 0 Vdc, I_G= 1.0 mAdc

V_GS

-1

-5.5

Vdc

V_GS(off)

V_GSF

-2.5

-6.0

Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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