2N3250A

更新时间： 2024-01-16 02:11:29

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美高森美 - MICROSEMI		晶体开关小信号双极晶体管
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描述
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

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2N3250A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-CDSO-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

2N3250A 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 323

Devices

Qualified Level

JAN

2N3250A

2N3251A

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Value

Units

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

5.0

Vdc

200

mAdc

Total Power Dissipation @ T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

0.36

1.2

-65 to +175

P_T

@ T_C= +25⁰C ⁽²⁾

Operating & Storage Junction Temperature Range

⁰C

T_J_,T

stg

TO-39*

(TO-205AD)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Symbol

Max.

417

Unit

⁰C/W

(1)(2)

qJA

1) Derate linearly 2.4 W/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 8.0 W/⁰C for T_C> +25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Vdc

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Cutoff Voltage

V_BE= 3.0 Vdc, V_CE= 40 Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 60 Vdc

hAdc

I_CEX

I_CBO

mAdc

hAdc

V_CB= 40 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 5.0 Vdc

Collector-Emitter Cutoff Voltage

V_BE= 3.0 Vdc, V_CE= 40 Vdc

I_EBO

I_CEX

mAdc

hAdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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