2N2945A

更新时间： 2024-02-12 02:52:12

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管开关
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描述
PNP SILICON SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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2N2945A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.46
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-CDSO-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N2945A 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP SILICON SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 382

Devices

Qualified Level

JAN

2N2944A

2N2945A

2N2946A

JANTX

JANTV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Sym

V_CEO

V_ECO

V_CBO

V_EBO

I_C

2N2944A 2N2945A 2N2946A

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Collector Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

100

mAdc

Total Power Dissipation

(1)

400

⁰C

P_T

@ T_A= +25⁰C

TO-46*

(TO-206AB)

Operating & Storage Junction

Temperature Range

1) Derate linearly 2.30 mW/⁰C above T_A= +25⁰C

-65 to +200

T_J_,T

stg

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Vdc

I_C= 10 mAdc

2N2944A

2N2945A

2N2946A

V_(BR)

CEO

Emitter-Collector Breakdown Voltage

Vdc

I_E= 10 mAdc

2N2944A

2N2945A

2N2946A

V_(BR)

ECO

Collector-Base Cutoff Current

I_C= 10 mAdc, V_CB= -15 Vdc

I_C= 10 mAdc, V_CB= -25 Vdc

I_C= 10 mAdc, V_CB= -40 Vdc

mAdc

2N2944A

2N2945A

2N2946A

I_CBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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