是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TO-111, 4 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.71 |
最大集电极电流 (IC): | 5 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 40 |
JESD-30 代码: | O-MUPM-X4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 50 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N2880_1 | MICROSEMI | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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2N2880-220M | SEME-LAB | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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2N2883 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-5 |
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2N2890 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
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2N2890 | SSDI | Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN |
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2N2890 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 80V 2A 3-Pin TO-5 |
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