2N2222AUBC

更新时间： 2024-01-19 03:31:34

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
7页	139K
描述
RADIATION HARDENED

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N2222AUBC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	MO-041BB
JESD-30 代码：	R-CDSO-N6	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

2N2222AUBC 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

RADIATION HARDENED

NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/255

DEVICES

LEVELS

JANSM – 3K Rads (Si)

JANSD – 10K Rads (Si)

JANSP – 30K Rads (Si)

JANSL – 50K Rads (Si)

JANSR – 100K Rads (Si)

JANSF – 300K Rads (Si)

JANSG – 500K Rads (Si)

JANSH – 1MEG Rads (Si)

2N2221A

2N2222A

2N2221AL

2N2221AUA

2N2221AUB

2N2221AUBC

2N2222AL

2N2222AUA

2N2222AUB

2N2222AUBC

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Vdc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Vdc

6.0

Vdc

Collector Current

800

mAdc

Total Power Dissipation @ T_A= +25°C

TO-18 (TO-206AA)

2N2221A, 2N2222A

2N2221A, L

2N2222A, L

0.5

0.65

0.50

P_T

2N2221AUA

2N2222AUA

2N2221AUB, UBC

2N2222AUB, UBC

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_op, T_stg

-65 to +200

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Parameters / Test Conditions

Symbol

Max.

Unit

4 PIN

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

2N2221AUA, 2N2222AUA

2N2221A, L

2N2221AUA

2N2221AUB, UBC

2N2222A, L

2N2222AUA

2N2222AUB, UBC

325

210

325

°C/W

R_θJA

1. Derate linearly 3.08 mW/°C above T_A> +37.5°C

2. Derate linearly 4.76 mW/°C above T_A> +63.5°C

3 PIN

2N2221AUB, 2N2222AUB

2N2221AUBC, 2N2222AUBC

(UBC = Ceramic Lid Version)

T4-LDS-0042 Rev. 3 (100247)

Page 1 of 7

12 3 4 5 6 7

下载PDF

与2N2222AUBC相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N2222AUBCE3	MICROSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC	获取价格
2N2222AUC	MICROSEMI	SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON	获取价格
2N2222AUC-#	MICROSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, DIE PAC	获取价格
2N2222AUC-1	MICROSEMI	SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON	获取价格
2N2222AUS	MICROSEMI	SWITCHING TRANSISTOR NPN SILICON	获取价格
2N2222AUS-#	MICROSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, DIE PAC	获取价格