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1N4437S

更新时间: 2024-02-20 17:14:28
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管桥式整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 71K
描述
Bridge Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 10A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-4

1N4437S 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:O-MUPF-D4
针数:4Reach Compliance Code:not_compliant
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.46
Is Samacsys:N其他特性:LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C
最小击穿电压:450 V外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.2 V
JESD-30 代码:O-MUPF-D4JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:100 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:160 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:10 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:PRESS FIT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:400 V子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N4437S 数据手册

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