是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.15 |
配置: | SINGLE | 最大直流栅极触发电流: | 150 mA |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 235 A |
重复峰值反向电压: | 1000 V | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
15110GOAILE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PI |
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15110GOD | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element |
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15110GODE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element |
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15110GODIL | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element |
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15110GODILE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 1000V V(RRM), 1 Element |
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151-11.0592M-13-25S-TR | OSCILENT | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 11.0592MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HC-49US, 2 PIN |
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