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150C80B

更新时间: 2024-02-11 06:29:13
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美高森美 - MICROSEMI 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
3页 172K
描述
Silicon Controlled Rectifier

150C80B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.15
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:150 mA
JESD-30 代码:O-MUPM-D2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:235 A
重复峰值反向电压:800 V表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

150C80B 数据手册

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