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150C120B

更新时间: 2024-01-09 09:10:26
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美高森美 - MICROSEMI 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
3页 172K
描述
Silicon Controlled Rectifier

150C120B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-93
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.72
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:150 mAJEDEC-95代码:TO-209AB
JESD-30 代码:O-MUPM-H3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:235 A
重复峰值反向电压:1200 V表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

150C120B 数据手册

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