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1.2KE51A

更新时间： 2024-02-05 13:54:04

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美高森美 - MICROSEMI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
2页	224K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1200W, 51V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon

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1.2KE51A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-PALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最大击穿电压：	62.7 V	最小击穿电压：	56.7 V
击穿电压标称值：	60 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	82.4 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值反向功率耗散：	1200 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	51 V	最大反向电流：	5 µA
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1.2KE6.0C	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1200W, 6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon	获取价格
1.2KE6.0CAE3	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1200W, 6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon	获取价格
1.2KE6.0CE3	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1200W, 6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon	获取价格
1.2KE60C	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1200W, 60V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon	获取价格
1.2KE60CA	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1200W, 60V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon	获取价格
1.2KE64C	MICROSEMI	Trans Voltage Suppressor Diode, 1200W, 64V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon	获取价格