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1.0KE8.0C

更新时间: 2024-02-16 02:05:12
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 135K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

1.0KE8.0C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.92最大击穿电压:10.9 V
最小击穿电压:8.89 V击穿电压标称值:9.9 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:15 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e4最大非重复峰值反向功率耗散:1000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:8 V
最大反向电流:50 µA子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:SILVER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1.0KE8.0C 数据手册

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