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07112GOBE3

更新时间: 2024-02-14 14:24:02
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 183K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN

07112GOBE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.67
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:100 mA
JEDEC-95代码:TO-209ACJESD-30 代码:O-MUPM-H3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT最大均方根通态电流:110 A
重复峰值反向电压:1200 V表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

07112GOBE3 数据手册

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