5秒后页面跳转
07112GOB PDF预览

07112GOB

更新时间: 2024-02-20 19:38:24
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 183K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN

07112GOB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-94
包装说明:TO-94, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.13
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:100 mA
JEDEC-95代码:TO-209ACJESD-30 代码:O-MUPM-H3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:110 A重复峰值反向电压:1200 V
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

07112GOB 数据手册

 浏览型号07112GOB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号07112GOB的Datasheet PDF文件第3页 

与07112GOB相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
07112GOBE3 MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PI

获取价格

07112GOC MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PI

获取价格

07112GOCE3 MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PI

获取价格

07112GOD MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PI

获取价格

07112GODE3 MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PI

获取价格

0711302 PHOENIX Terminal Block Accessory

获取价格