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07108GOA

更新时间: 2024-01-30 19:04:04
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 187K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 70000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN

07108GOA 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-94
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3针数:3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.79标称电路换相断开时间:100 µs
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:100 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:200 mA
JEDEC-95代码:TO-209ACJESD-30 代码:O-MUPM-H3
JESD-609代码:e0最大漏电流:10 mA
通态非重复峰值电流:1600 A元件数量:1
端子数量:3最大通态电流:70000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:110 A
断态重复峰值电压:800 V重复峰值反向电压:800 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

07108GOA 数据手册

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