生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-94 |
包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.74 |
标称电路换相断开时间: | 100 µs | 配置: | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率: | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流: | 100 mA |
最大直流栅极触发电压: | 3 V | 最大维持电流: | 200 mA |
JEDEC-95代码: | TO-209AC | JESD-30 代码: | O-MUPM-H3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 110 A |
重复峰值关态漏电流最大值: | 10000 µA | 断态重复峰值电压: | 200 V |
重复峰值反向电压: | 200 V | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | HIGH CURRENT CABLE |
端子位置: | UPPER | 触发设备类型: | SCR |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
07102GOB | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
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07102GOC | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
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07102GOD | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, |
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0710303 | PHOENIX | Modular Terminal Block, 12A, 2.5mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s) |
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0710316 | PHOENIX | Modular Terminal Block, 12A, 2.5mm2, 1 Row(s), 1 Deck(s) |
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07103GOB | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, |
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