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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-94 |
| 包装说明： | TO-94, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.28 |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 100 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-209AC | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 86 A | 重复峰值反向电压： | 1200 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 05212GOBE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
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| 05212GOC | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
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| 05212GOCE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
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| 05212GOD | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN |
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| 0521470210 | MOLEX | 2.00mm (.079") Pitch Wire Trap, Pull-Cover Style, Vertical, 2 Circuits |
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| 0521470310 | MOLEX | 2.00mm (.079") Pitch Wire Trap, Pull-Cover Style, Vertical, 3 Circuits |
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