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05208GOA

更新时间: 2024-02-13 00:44:56
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 184K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 86A I(T)RMS, 86000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-209AC, TO-94, 3 PIN

05208GOA 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-94
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3针数:3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.64标称电路换相断开时间:100 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us
最大直流栅极触发电流:100 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:200 mAJEDEC-95代码:TO-209AC
JESD-30 代码:O-MUPM-H3JESD-609代码:e0
最大漏电流:10 mA通态非重复峰值电流:1200 A
元件数量:1端子数量:3
最大通态电流:86000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:86 A断态重复峰值电压:800 V
重复峰值反向电压:800 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

05208GOA 数据手册

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