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05201GOB

更新时间: 2024-01-16 11:25:38
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 86.35A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TO-94

05201GOB 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.83
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:0.1 mA
JEDEC-95代码:TO-94JESD-30 代码:O-MUPM-H3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:86.35 A
重复峰值反向电压:100 V表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

05201GOB 数据手册

  

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