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05112GOF

更新时间: 2024-01-29 09:59:39
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 154K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, CERAMIC, TO-65, 2 PIN

05112GOF 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-65
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-CUPM-D2针数:2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.73其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:100 mA
JEDEC-95代码:TO-208ACJESD-30 代码:O-CUPM-D2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:80 A断态重复峰值电压:1200 V
重复峰值反向电压:1200 V表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

05112GOF 数据手册

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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