生命周期: | Active | 包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.75 | 配置: | SINGLE |
最大直流栅极触发电流: | 100 mA | JEDEC-95代码: | TO-208AC |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
最大均方根通态电流: | 80 A | 断态重复峰值电压: | 600 V |
重复峰值反向电压: | 600 V | 表面贴装: | NO |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
050R08G0F | MICROSEMI | Anode Gate Silicon Controlled Rectifier |
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050R08GOF | ETC | Silicon Controlled Rectifier |
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050R08GOFE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, |
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050R10G0F | MICROSEMI | Anode Gate Silicon Controlled Rectifier |
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050R10GOF | ETC | Silicon Controlled Rectifier |
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050R10GOFE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AC |
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