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05002GOFE3

更新时间: 2024-01-27 15:20:21
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 160K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN

05002GOFE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.71
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:100 mA
JEDEC-95代码:TO-208ACJESD-30 代码:O-MUPM-D2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT最大均方根通态电流:80 A
断态重复峰值电压:200 V重复峰值反向电压:200 V
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

05002GOFE3 数据手册

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