5秒后页面跳转
03906GUFE3 PDF预览

03906GUFE3

更新时间: 2024-01-28 00:37:58
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 62.8A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element, TO-65

03906GUFE3 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.69
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:0.15 mA
JEDEC-95代码:TO-65JESD-30 代码:O-MUPM-D2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT最大均方根通态电流:62.8 A
重复峰值反向电压:600 V表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

03906GUFE3 数据手册

  

与03906GUFE3相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
03906HRF MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AC,

获取价格

03906HRFE3 MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AC,

获取价格

03906HUF MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier, 63000mA I(T), 600V V(DRM)

获取价格

03906KPF MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier

获取价格

03906KRF MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AC,

获取价格

03906KRFE3 MICROSEMI Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AC,

获取价格