03510GF

更新时间： 2024-02-13 10:47:09

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美高森美 - MICROSEMI		可控硅
页数	文件大小	规格书
3页	160K
描述
Silicon Controlled Rectifier / Inverter

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03510GF 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-65
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.68	标称电路换相断开时间：	40 µs
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us
最大直流栅极触发电流：	150 mA	最大直流栅极触发电压：	2 V
最大维持电流：	500 mA	JEDEC-95代码：	TO-208AC
JESD-30 代码：	O-MUPM-D2	JESD-609代码：	e0
最大漏电流：	20 mA	通态非重复峰值电流：	800 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最大通态电流：	40000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	63 A	断态重复峰值电压：	1000 V
重复峰值反向电压：	1000 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
03510GWF	ETC	Silicon Controlled Rectifier	获取价格
03510GWFE3	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AC	获取价格
03510GXF	ETC	Silicon Controlled Rectifier	获取价格
03510GXFE3	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AC	获取价格
03510HWFE3	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AC	获取价格
03510HXFE3	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AC	获取价格