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0230600LE3

更新时间: 2024-02-19 03:54:15
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 147K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 36.11A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element

0230600LE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:PRESS FIT, O-MUPF-D2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.75Is Samacsys:N
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:40 mAJESD-30 代码:O-MUPF-D2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:PRESS FIT最大均方根通态电流:36.11 A
断态重复峰值电压:600 V重复峰值反向电压:600 V
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

0230600LE3 数据手册

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