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0230500LE3

更新时间: 2024-02-07 12:23:25
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 147K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 36.11A I(T)RMS, 500V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Element

0230500LE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:PRESS FIT, O-MUPF-D2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.75外壳连接:ANODE
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:40 mA
JESD-30 代码:O-MUPF-D2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:PRESS FIT
最大均方根通态电流:36.11 A断态重复峰值电压:500 V
重复峰值反向电压:500 V表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

0230500LE3 数据手册

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