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| MICRO-ELECTRONICS |  |
晶体晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 2页 | 207K |  |
| 描述 | ||
| COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A | 基于收集器的最大容量： | 15 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-39 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 1.4 V |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3053_02 | SEME-LAB | MEDIUM POWER SILICON NPN PLANAR TRANSISTOR |
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| 2N3053A | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| 2N3053A | BOCA | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR(NPN SILICON) |
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| 2N3053A | MICRO-ELECTRONICS | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
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| 2N3053A | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 3-Pin TO-39 Box |
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| 2N3053ALEADFREE | CENTRAL | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
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