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2N2102

更新时间: 2024-01-28 19:02:44
品牌 Logo 应用领域
MICRO-ELECTRONICS 开关放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
2页 152K
描述
COMPLEMEMTARY SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES

2N2102 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
最大集电极电流 (IC):1 A基于收集器的最大容量:15 pF
集电极-发射极最大电压:65 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:1 W
最大功率耗散 (Abs):5 W表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):60 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

2N2102 数据手册

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