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MHW930

更新时间： 2024-10-29 22:05:03
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器高功率电源
页数 文件大小 规格书
3页 57K
描述
30 W 925.960 MHz RF POWER AMPLIFIER

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MHW930 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：MOT CASE 301AB-02
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
Is Samacsys：N特性阻抗：50 Ω
增益：27 dB最大输入功率 (CW)：22 dBm
最大工作频率：960 MHz最小工作频率：925 MHz
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-10 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：MOT CASE 301AB-02
电源：26 V射频/微波设备类型：NARROW BAND HIGH POWER
子类别：RF/Microwave Amplifiers技术：GAAS
最大电压驻波比：2Base Number Matches：1

MHW930 数据手册

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by MHW930/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
Designed specifically for the Pan European Digital Extended EGSM base  
station applications at 925 – 960 MHz. The MHW930 operates from a 26 volt  
supply and requires 60 mW of RF input power.  
30 W  
925–960 MHz  
RF POWER AMPLIFIER  
•
Specified 26 Volt and 25 °C Characteristics:  
RF Input Power: 60 mW Max  
RF Power Gain: 27 dB Min at 30 W Output Power  
RF Output: 30 Watts Min at 1.0 dB Compression Point  
Efficiency: 44% Min at 30 Watts Output Power  
•
50 Ohm Input/Output Impedances  
CASE 301AB–02, STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
dBm  
W
DC Supply Voltage  
DC Bias Voltage  
RF Input Power  
RF Output Power  
V
V
28  
S
B
in  
28  
22  
P
P
out  
50  
Operating Case Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
–10 to +100  
–30 to +100  
°C  
C
T
°C  
stg  
= 26 Vdc; T = +25°C; 50 Ω system)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (V = 26 Vdc; V  
S
BIAS  
C
Characteristic  
Symbol  
BW  
Min  
Typ  
—
Max  
960  
—
Unit  
MHz  
mA  
Frequency Range  
925  
—
V
Quiescent Current (P = 0 mW)  
in  
Iqs1  
65  
S1  
S2  
V
Quiescent Current (P = 0 mW)  
in  
Iqs2  
—
130  
—
mA  
Power Gain (P  
= 30 W) (1)  
G
27  
30  
44  
—
—
35  
49  
—
—
—
—
31  
—
dB  
Watts  
%
out  
Output Power at 1 dB Compression  
p
P1dB  
EFficiency (P  
Input VSWR  
= 30 W) (1)  
η
—
out  
VSWR  
IN  
2:1  
–35  
–45  
–80  
Harmonic 2 f (P  
= 30 W) (1)  
H
H
—
dBc  
dBc  
dBc  
o
out  
out  
2
3
Harmonic 3 f (P  
= 30 W) (1)  
—
o
Reverse Intermodulation Distortion (P  
= fc ±600 kHz) (1)  
= 30 W; P  
at –70 dBc; fi  
IMR  
—
carrier  
interferer  
Load Mismatch Stress  
ψ
No Degradation in Output Power  
(P  
out  
= 30 W; Load VSWR = 10:1; All Phase Angles)  
Stability  
All Spurious Outputs More than 70 dB Below  
Desired Signal  
(P  
= 10 mW – 30 W; Load VSWR = 3:1; All Phase Angles;  
out  
= –10°C to 85°C)  
T
C
(1) Adjust P for specified P  
in  
.
out  
Motorola, Inc. 1997  
123

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