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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> MHW6342T
MHW6342T PDF预览

MHW6342T

更新时间： 2024-09-30 13:11:31
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 放大器有线电视
页数 文件大小 规格书
2页 64K
描述
40 MHz - 550 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, CASE 1302-01, 7 PIN

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MHW6342T 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SOT-115J
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.13
特性阻抗：75 Ω构造：MODULE
增益：34.5 dB最大输入功率 (CW)：6.25 dBm
最大工作频率：550 MHz最小工作频率：40 MHz
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-20 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：SOT-115J
电源：24 V射频/微波设备类型：WIDE BAND HIGH POWER
子类别：RF/Microwave Amplifiers最大压摆率：340 mA
技术：HYBRIDBase Number Matches：1

MHW6342T 数据手册

 浏览型号MHW6342T的Datasheet PDF文件第2页 
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by MHW6342/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
. . . designed specifically for 550 MHz CATV applications. Features  
ion–implanted arsenic emitter transistors with 7 GHz  
metallization system.  
f
and an all gold  
T
34 dB GAIN  
550 MHz  
77–CHANNEL  
CATV AMPLIFIER  
•
•
Specified for 77–Channel Performance  
Broadband Power Gain @ f = 40–550 MHz  
G = 34.5 dB (Typ) @ 50 MHz  
p
G = 35 dB (Min) @ 550 MHz  
p
•
Broadband Noise Figure @ 550 MHz  
NF = 5.5 dB (Typ)  
•
•
•
Superior Gain, Return Loss and DC Current Stability with Temperature  
All Gold Metallization  
7 GHz Ion–Implanted Transistors  
CASE 714–06, STYLE 1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
+55  
Unit  
dBmV  
Vdc  
°C  
RF Voltage Input (Single Tone)  
DC Supply Voltage  
V
in  
V
CC  
+28  
Operating Case Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
C
–20 to +100  
–40 to +100  
T
stg  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (V  
Characteristic  
= 24 Vdc, T = +30°C, 75 Ω system unless otherwise noted)  
CC  
C
Symbol  
Min  
40  
Typ  
Max  
550  
35.5  
—
Unit  
MHz  
dB  
Frequency Range  
BW  
—
34.5  
—
Power Gain  
50 MHz  
G
G
33.5  
34.5  
0
p
p
Power Gain  
550 MHz  
dB  
Slope  
S
1
2
dB  
Gain Flatness (Peak To Valley)  
—
—
0.4  
0.8  
dB  
Return Loss — Input/Output  
(Z = 75 Ohms)  
o
40–550 MHz  
450–550 MHz  
IRL/ORL  
18  
16  
—
—
—
—
dB  
Second Order Intermodulation Distortion  
IMD  
dB  
dB  
dB  
(V  
out  
(V  
out  
= +46 dBmV per ch., Ch 2, M13, M22)  
= +44 dBmV per ch., Ch 2, M30, M39)  
—
—
–75  
–70  
—
–64  
Cross Modulation Distortion  
(V  
out  
(V  
out  
= +46 dBmV per ch.)  
= +44 dBmV per ch.)  
60–Channel FLAT  
77–Channel FLAT  
XMD  
XMD  
—
—
–61  
–59  
—
–57  
60  
77  
Composite Triple Beat  
(V  
(V  
out  
= +46 dBmV per ch.)  
= +44 dBmV per ch.)  
60–Channel FLAT  
77–Channel FLAT  
CTB  
CTB  
—
—
–60  
–58  
—
–57  
out  
60  
77  
Noise Figure  
DC Current  
550 MHz  
NF  
—
—
5.5  
6.5  
dB  
I
310  
340  
mA  
DC  
REV 6  
Motorola, Inc. 1994  
12

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MHW6342T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BGY588N,112 NXP

功能相似

 RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 550 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT-
BGY588C NXP

功能相似

 550 MHz, 34.5 dB gain push-pull amplifier

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获取价格

 		Wide Band High Power Amplifier, 400MHz Min, 440MHz Max, Hybrid,

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