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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> MHL19926
MHL19926 PDF预览

MHL19926

更新时间： 2024-11-19 12:10:31
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 射频和微波射频放大器微波放大器过程控制系统PCS高功率电源
页数 文件大小 规格书
2页 236K
描述
PCS Band RF Linear LDMOS Amplifier

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MHL19926 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：MOT CASE 301AY-01
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.14
Is Samacsys：N特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：28.4 dB
最大输入功率 (CW)：17 dBm功能数量：1
最大工作频率：1990 MHz最小工作频率：1930 MHz
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-20 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：MOT CASE 301AY-01
电源：26 V射频/微波设备类型：NARROW BAND HIGH POWER
子类别：RF/Microwave Amplifiers最大压摆率：1050 mA
技术：HYBRID最大电压驻波比：1.5
Base Number Matches：1

MHL19926 数据手册

 浏览型号MHL19926的Datasheet PDF文件第2页 
MOTOROLA  
Freescale Semiconductor, Inc.  
Order this document  
by MHL19926/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
PCS Band  
RF Linear LDMOS Amplifier  
MHL19926  
Designed for ultra--linear amplifier applications in 50 Ohm systems operating  
in the PCS frequency band. A silicon FET Class A design provides outstanding  
linearity and gain. In addition, the excellent group delay and phase linearity  
characteristics are ideal for digital modulation systems, such as TDMA, EDGE  
and CDMA.  
1930--1990 MHz, 10 W, 29.4 dB  
RF LINEAR LDMOS AMPLIFIER  
•
•
•
•
Third Order Intercept Point: 50 dBm Typ  
Power Gain: 29.4 dB Typ (@ f = 1960 MHz)  
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics  
Ideal for Feedforward Base Station Application  
CASE 301AY--01, STYLE 1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
DC Supply Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
dBm  
°C  
V
DD  
RF Input Power  
P
+17  
in  
Storage Temperature Range  
Operating Case Temperature Range  
T
stg  
--40 to +100  
--20 to +100  
T
C
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = +25°C; V = 26 Vdc; 50 Ω System)  
C
DD  
Characteristic  
Symbol  
Min  
—
Typ  
1
Max  
1.05  
30.4  
0.5  
—
Unit  
A
Supply Current  
I
DD  
Power Gain  
(f = 1960 MHz)  
G
28.4  
—
29.4  
0.3  
40  
dB  
p
F
Gain Flatness  
(f = 1930--1990 MHz)  
(f = 1960 MHz)  
G
dB  
Power Output @ 1 dB Compression  
Input VSWR  
P1 dB  
39  
dBm  
(f = 1930--1990 MHz)  
(f1 =1957 MHz, f2=1962 MHz)  
(f = 1990 MHz)  
VSWR  
—
1.2:1  
50  
1.5:1  
—
in  
Third Order Intercept  
Noise Figure  
ITO  
49.5  
—
dBm  
dB  
NF  
4.2  
5
NOTE -- CAUTION -- MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 2  
Motorola, Inc. 2003  
For More Information On This Product,  
Go to: www.freescale.com  
12

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与MHL19926相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MHL19936 MOTOROLA

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 		PCS BAND RF LINEAR LDMOS AMPLIFIER
MHL1ECLT10NJ KOA

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 		General Purpose Inductor, 0.01uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD,
MHL1ECLT15NJ KOA

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 		General Purpose Inductor, 0.015uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD,
MHL1ECLT18NJ KOA

获取价格

 		General Purpose Inductor, 0.018uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD,
MHL1ECLT1N0S KOA

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 		General Purpose Inductor, 0.001uH, 30%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD
MHL1ECLT1N2S KOA

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 		General Purpose Inductor, 0.0012uH, 25%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD,
MHL1ECLT1N5S KOA

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 		General Purpose Inductor, 0.0015uH, 20%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD,
MHL1ECLT1N8S KOA

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 		General Purpose Inductor, 0.0018uH, 16.667%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD,
MHL1ECLT22NJ KOA

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 		General Purpose Inductor, 0.022uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD,
MHL1ECLT2N2S KOA

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 		General Purpose Inductor, 0.0022uH, 13.637%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD,

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