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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> MHL18926
MHL18926 PDF预览

MHL18926

更新时间： 2024-11-18 22:30:11
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 射频和微波射频放大器微波放大器过程控制系统PCS高功率电源
页数 文件大小 规格书
2页 262K
描述
PCS BAND RF LINEAR LDMOS AMPLIFIER

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MHL18926 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：MOT CASE 301AY-01
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.14
Is Samacsys：N特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：27.6 dB
最大输入功率 (CW)：18 dBm功能数量：1
最大工作频率：1880 MHz最小工作频率：1805 MHz
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-20 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：MOT CASE 301AY-01
电源：26 V射频/微波设备类型：NARROW BAND HIGH POWER
子类别：RF/Microwave Amplifiers最大压摆率：1150 mA
技术：HYBRID最大电压驻波比：1.5
Base Number Matches：1

MHL18926 数据手册

 浏览型号MHL18926的Datasheet PDF文件第2页 
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Freescale Semiconductor, Inc.  
Order this document  
by MHL18926/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
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Designed for ultra–linear amplifier applications in 50 Ohm systems operating  
in the PCS frequency band. A silicon FET Class A design provides outstanding  
linearity and gain. In addition, the excellent group delay and phase linearity  
characteristics are ideal for digital modulation systems, such as TDMA, GSM  
EDGE and CDMA.  
1805–1880 MHz, 10 W, 28.6 dB  
RF LINEAR LDMOS AMPLIFIER  
• Third Order Intercept Point: 50 dBm Typ  
• Power Gain: 28.6 dB Typ (@ f = 1842 MHz)  
• Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics  
• Ideal for Feedforward Base Station Application  
CASE 301AY–01, STYLE 1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
dBm  
°C  
DC Supply Voltage  
V
DD  
RF Input Power  
P
in  
+18  
Storage Temperature Range  
T
stg  
–40 to +100  
–20 to +100  
Operating Case Temperature Range  
T
C
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = +25°C; V = 26 Vdc; 50 Ω System)  
C
DD  
Characteristic  
Symbol  
Min  
—
Typ  
1.1  
Max  
1.15  
29.6  
0.5  
—
Unit  
A
Supply Current  
I
DD  
Power Gain  
(f = 1842 MHz)  
G
p
G
F
27.6  
—
28.6  
0.3  
dB  
Gain Flatness  
(f = 1805–1880 MHz)  
(f = 1842 MHz)  
dB  
Power Output @ 1 dB Compression  
Input VSWR  
P1 dB  
39  
40  
dBm  
(f = 1805–1880 MHz)  
(f1 =1839 MHz, f2=1844 MHz)  
(f = 1880 MHz)  
VSWR  
—
1.2:1  
50  
1.5:1  
—
in  
Third Order Intercept  
Noise Figure  
ITO  
49.5  
—
dBm  
dB  
NF  
4.2  
5
NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 2  
Motorola, Inc. 2003  
For More Information On This Product,  
Go to: www.freescale.com  
12

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