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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SIMM, SIM30 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| 最长访问时间： | 150 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PSMA-N30 | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 30 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SIMM | 封装等效代码： | SIM30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 512 | 座面最大高度： | 20.574 mm |
| 最大待机电流： | 0.008 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.44 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MH1M08JA-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS |
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| MH1M08JA-15 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX8, 150ns, CMOS |
|
| MH1M08TNA-10H | MITSUBISHI |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS |
|
| MH1M08TNA-12H | MITSUBISHI |
获取价格 |
SRAM Module, 1MX8, 120ns, CMOS |
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| MH1M09A0AJ-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, SIMM-30 |
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| MH1M09A0AJ-6 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 60ns, CMOS, SIMM-30 |
|
| MH1M09A0AJ-7 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 70ns, CMOS, SIMM-30 |
|
| MH1M09A0AJ-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30 |
|
| MH1M09A0AJA-6 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 60ns, CMOS, SIMM-30 |
|
| MH1M09A0AJA-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30 |
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