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MH16V725BATJ-5

更新时间： 2024-10-01 12:46:43
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 151K
描述
HYPER PAGE MODE 1207959552 - BIT ( 16777216 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM

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MH16V725BATJ-5 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM, DIMM168针数：168
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.36风险等级：5.84
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：50 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N168内存密度：1207959552 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM MODULE内存宽度：72
功能数量：1端口数量：1
端子数量：168字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16MX72输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM168封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
座面最大高度：31.496 mm最大待机电流：0.029 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：2.36 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

MH16V725BATJ-5 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
Preliminary Spec.  
MH16V725BATJ -5, -6  
HYPER PAGE MODE 1207959552 - BIT ( 16777216 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM  
PIN CONFIGURATION  
DESCRIPTION  
The MH16V725BATJ is 16777216-word x 72-bit dynamic  
ram module. This consist of eighteen industry standard 16M  
x 4 dynamic RAMs in TSOP and three industry standard input  
buffer in TSSOP.  
The mounting of TSOP on a card edge dual in-line package  
provides any application where high densities and large of  
quantities memory are required.  
This is a socket-type memory module ,suitable for easy  
interchange or addition of module.  
85pin  
1pin  
94pin  
95pin  
10pin  
11pin  
FEATURES  
/RAS  
access access access access  
time time time time  
/CAS Address /OE  
Cycle  
Power  
Type name  
time dissipation  
(max.ns) (max.ns) (max.ns) (max.ns) (min.ns)  
(typ.W)  
18  
20  
30  
35  
18  
20  
84  
MH16V725BATJ-5  
MH16V725BATJ-6  
50  
60  
5.50  
4.60  
104  
Utilizes industry standard 16M x 4 RAMs TSOP and industry  
standard input buffer in TSSOP  
168-pin (84-pin dual in-line pacege)  
Single 3.3V(+/-0.3V) supply operation  
Low stand-by power dissipation . . . . . . . . 121mW(Max)  
Low operation power dissipation  
MH16V725BATJ -5 . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.58W(Max)  
MH16V725BATJ -6 . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.94W(Max)  
All input,output LVTTL compatible  
124pin  
125pin  
40pin  
41pin  
FRONT SIDE  
BACK SIDE  
Includes(0.22uF x 20) decoupling capacitors  
4096 refresh cycle every 64ms (A0~A12)  
JEDEC standard pin configration & Buffered PD pin  
Buffered input except /RAS and DQ  
Gold plating contact pads  
APPLICATION  
Main memory unit for computers , Microcomputer memory  
168pin  
84pin  
PD&ID TABLE  
PD1 PD2 PD3 PD4 PD5 PD6 PD7 PD8 ID0 ID1  
- 5  
- 6  
0
1
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
0
0
1 = NC , 0 = drive to VOL  
PD pin . . . buffered. When /PDE is low, PD information can be read  
ID pin . . . non-buffered  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
MIT-DS-0271-0.0  
Oct.1.1998  
( 1 / 22 )  
1234567...22

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MH16V725BATJ-6 MITSUBISHI

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 		HYPER PAGE MODE 1207959552 - BIT ( 16777216 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM
MH16V725BWJ-5 MITSUBISHI

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 		HYPER PAGE MODE 1207959552 - BIT ( 16777216 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM
MH16V725BWJ-6 MITSUBISHI

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 		HYPER PAGE MODE 1207959552 - BIT ( 16777216 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM
MH16V72ATJ-5 MITSUBISHI

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 		Fast Page DRAM Module, 16MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
MH16V72ATJ-6 MITSUBISHI

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