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MH16V7245ATJ-5

更新时间： 2024-10-01 20:51:11

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	642K
描述
EDO DRAM Module, 16MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168

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MH16V7245ATJ-5 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	1207959552 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	38.1 mm	最大待机电流：	0.029 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	2.36 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MH16V7245ATJ-6	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
MH16V7245AWJ-5	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
MH16V7245AWJ-6	MITSUBISHI	获取价格	EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
MH16V7245BATJ-5	MITSUBISHI	获取价格	HYPER PAGE MODE 1207959552 - BIT ( 16777216 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM
MH16V7245BATJ-6	MITSUBISHI	获取价格	HYPER PAGE MODE 1207959552 - BIT ( 16777216 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM
MH16V7245BWJ-5	MITSUBISHI	获取价格	HYPER PAGE MODE 1207959552 - BIT ( 16777216 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM
MH16V7245BWJ-6	MITSUBISHI	获取价格	HYPER PAGE MODE 1207959552 - BIT ( 16777216 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM
MH16V724ATJ-5	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 16MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
MH16V724ATJ-6	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
MH16V724AWJ-5	MITSUBISHI	获取价格	FAST PAGE MODE 1207959552 - BIT ( 16777216 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM