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MH16V645BWJ-6

更新时间： 2024-09-30 22:14:03
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 129K
描述
HYPER PAGE MODE 1073741824 - BIT ( 16777216 - WORD BY 64 - BIT ) DYNAMIC RAM

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MH16V645BWJ-6 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM, DIMM168针数：168
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.32风险等级：5.84
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：60 ns其他特性：CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDMA-N168
内存密度：1073741824 bit内存集成电路类型：EDO DRAM MODULE
内存宽度：64功能数量：1
端口数量：1端子数量：168
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：16MX64
输出特性：3-STATE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装等效代码：DIMM168
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：8192最大待机电流：0.008 A
子类别：DRAMs最大压摆率：1.92 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

MH16V645BWJ-6 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
Preliminary Spec.  
Specifications subject to  
change without notice.  
MH16V645BWJ -5, -6  
HYPER PAGE MODE 1073741824 - BIT ( 16777216 - WORD BY 64 - BIT ) DYNAMIC RAM  
DESCRIPTION  
PIN CONFIGURATION  
The MH16V645BWJ is 16777216-word x 64-bit dynamic  
ram module. This consist of sixteen industry standard 16M  
x 4 dynamic RAMs in SOJ and one industry standard  
EEPROM in TSSOP.  
85pin  
1pin  
The mounting of SOJs and TSSOP on a card edge dual  
in-line package provides any application where high  
densities and large of quantities memory are required.  
This is a socket-type memory module ,suitable for easy  
interchange or addition of module.  
94pin  
95pin  
10pin  
11pin  
FEATURES  
/RAS  
access access access access  
time time time time  
/CAS Address /OE  
Cycle  
Power  
Type name  
time dissipation  
(max.ns) (max.ns) (max.ns) (max.ns) (min.ns)  
(typ.W)  
MH16V645BWJ-5  
MH16V645BWJ-6  
50  
60  
84  
13  
15  
25  
30  
13  
15  
4.80  
4.00  
104  
Utilizes industry standard 16M x 4 RAMs in SOJ and industry  
standard EEPROM in TSSOP  
168-pin (84-pin dual dual in-line package)  
Single +3.3V(±0.3V) supply operation  
124pin  
125pin  
40pin  
41pin  
FRONT SIDE  
BACK SIDE  
Low stand-by power dissipation  
28.8mW(Max) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . LVCMOS input level  
Low operation power dissipation  
MH16V645BWJ -5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.76W(Max)  
MH16V645BWJ -6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.19W(Max)  
All input are directly LVTTL compatible  
All output are three-state and directly LVTTL compatible  
Includes(0.22uF x 16) decoupling capacitors  
4096 refresh cycle every 64ms  
Hyper-page mode,Read-modify-write,  
/CAS before /RAS refresh,Hidden refresh capabilities  
Gold plating contact pads  
Row Address  
A0 ~ A12  
Column Address A0 ~ A10  
168pin  
84pin  
APPLICATION  
Main memory unit for computers , Microcomputer memory  
MITSUBISHI  
MIT-DS-0240-0.0  
28/Jul/`98  
ELECTRIC  
( 1 / 22 )  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MH16V64AWJ-5 MITSUBISHI

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 		FAST PAGE MODE 1073741824 - BIT ( 16777216 - WORD BY 64 - BIT ) DYNAMIC RAM
MH16V64AWJ-6 MITSUBISHI

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 		FAST PAGE MODE 1073741824 - BIT ( 16777216 - WORD BY 64 - BIT ) DYNAMIC RAM
MH16V7245ATJ-5 MITSUBISHI

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 		EDO DRAM Module, 16MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
MH16V7245ATJ-6 MITSUBISHI

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 		EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
MH16V7245AWJ-5 MITSUBISHI

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 		EDO DRAM Module, 16MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
MH16V7245AWJ-6 MITSUBISHI

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 		EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
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 		HYPER PAGE MODE 1207959552 - BIT ( 16777216 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM
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 		HYPER PAGE MODE 1207959552 - BIT ( 16777216 - WORD BY 72 - BIT ) DYNAMIC RAM
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