是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP32,.6 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.91 | 最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | DECODER AVAILABLE | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-T32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.00004 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MH12808TNA-12H | MITSUBISHI |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 120ns, CMOS | |
MH12808TNA-15 | MITSUBISHI |
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SRAM Module, 128KX8, 150ns, CMOS | |
MH12808TNA-15H | MITSUBISHI |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 150ns, CMOS | |
MH12808TNA-85 | MITSUBISHI |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 85ns, CMOS | |
MH12808TNA-85H | MITSUBISHI |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 85ns, CMOS | |
MH12816AJZ-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Video DRAM Module, 128KX16, 100ns, CMOS | |
MH128A | TEMEX |
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Fixed Attenuator, 500MHz Min, 2000MHz Max, 0.6dB Insertion Loss-Max | |
MH128B | TEMEX |
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Fixed Attenuator, 2000MHz Min, 4000MHz Max, 0.8dB Insertion Loss-Max | |
MH128C | TEMEX |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 4000MHz Min, 8000MHz Max, 1.2dB Insertion Loss-Max | |
MH128D | TEMEX |
获取价格 |
Fixed Attenuator, 8000MHz Min, 12000MHz Max, 1.7dB Insertion Loss-Max |