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MGRB1018

更新时间： 2024-09-22 22:30:11
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 整流二极管光电二极管软恢复能力电源超快速软恢复能力电源软恢复二极管超快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
6页 157K
描述
Power Manager Gallium Arsenide Power Rectifier

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MGRB1018 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.92Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：HYPERFAST SOFT RECOVERY POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：GALLIUM ARSENIDE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.4 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：180 V最大反向恢复时间：0.013 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MGRB1018 数据手册

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by MGRB1018/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . ideally suited for high frequency power supplies, free wheeling diodes, and as polarity  
protection diodes, these state-of-the-art devices have the following features:  
GALLIUM ARSENIDE  
RECTIFIER  
• Planar Epitaxial Construction  
• Nitride Passivation for Stable Blocking Characteristics  
• Monolithic Dual Die Available (MGRB2018CT)  
10 AMPERES  
180 VOLTS  
• Epoxy Meets UL94, V @ 1/8″  
O
• Hyperfast and Soft Reverse Recovery Over Specified Temperature  
Range (15 ns)  
Mechanical Characteristics  
• Weight: 1.9 grams (approximately)  
1,3  
2,4  
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Leads  
are Readily Solderable  
2, 4  
• Lead Temperature for Soldering Purposes: 260°C Max. for 10 Seconds  
• Shipped 50 units per plastic tube  
• Available in 24mm Tape and Reel, 800 units per reel by adding a T4  
suffix to the part number  
1
3
CASE 418B–02  
• Marking: MGRB1018  
2
D PAK  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
180  
V
RRM  
RWM  
R
V
DC Forward Current  
(T = 110°C)  
C
I
10  
20  
60  
A
A
DC  
Peak Repetitive Forward Current  
I
FRM  
(At Rated V , Square Wave, 20 kHz, T = 85°C)  
R
C
Non–Repetitive Peak Surge Current  
I
A
FSM  
(Surge applied at rated load conditions, halfwave, single phase, 60 Hz)  
Operating Junction Temperature and Storage Temperature  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T , T  
–55 to 175  
°C  
J
stg  
Thermal Resistance – Junction to Case  
– Junction to Ambient  
R
θJC  
R
θJA  
4.3  
53  
°C/W  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
T =25°C T =125°C  
Maximum Instantaneous Forward Voltage (1), see Figure 2  
V
V
µA  
ns  
A
J
J
F
(I = 10 A)  
F
1.4  
1.1  
1.5  
1.1  
(I = 5 A)  
F
T =25°C T =125°C  
Maximum Instantaneous Reverse Current, see Figure 4  
I
R
J
J
(V = 180 V)  
R
25  
1
685  
120  
(V = 90 V)  
R
T =25°C T =125°C  
Typical Reverse Recovery Time (2)  
t
rr  
J
J
(V = 150 V, I = 5 A, di/dt = 200 A/µs)  
R
F
12.6  
13  
12.4  
12.7  
(V = 150 V, I = 10 A, di/dt = 200 A/µs)  
R
F
T =25°C T =125°C  
Typical Peak Reverse Recovery Current  
(V = 150 V, I = 5 A, di/dt = 200 A/µs)  
I
RM  
J
J
R
F
1.5  
1.6  
1.6  
1.7  
(V = 150 V, I = 10 A, di/dt = 200 A/µs)  
R
F
Note: This data sheet contains advance information only and is subject to change without notice.  
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
(2) trr measured projecting from 25% of IRM to ground.  
Motorola, Inc. 1995  
123456

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与MGRB1018相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MGRB1018CT MOTOROLA

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 		10A, 180V, GALLIUM ARSENIDE, RECTIFIER DIODE, DIE
MGRB2018 MOTOROLA

获取价格

 		Power Manager Gallium Arsenide Power Rectifier
MGRB2018CT MOTOROLA

获取价格

 		Power Manager Gallium Arsenide Power Rectifier
MGRB2018CTT4 MOTOROLA

获取价格

 		10A, 180V, GALLIUM ARSENIDE, RECTIFIER DIODE
MGRB2025CT MOTOROLA

获取价格

 		Power Manager Gallium Arsenide Power Rectifier
MGRB2025CTT4 MOTOROLA

获取价格

 		10A, 250V, GALLIUM ARSENIDE, RECTIFIER DIODE
MGRE1/2W-82MJB MERITEK

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 		Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.5W, 82000000ohm, 2000V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, T
MGRE1/2WS-2M4FTR MERITEK

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.5W, 2400000ohm, 1700V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Th
MGRE1/2WS-2M4JB MERITEK

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.5W, 2400000ohm, 1700V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Th
MGRE1/2WS-2M4JTR MERITEK

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.5W, 2400000ohm, 1700V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Th

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