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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 8 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 62 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 62 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 60 ns |
| VCEsat-Max： | 2.77 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGP7N60E | MOTOROLA |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| MGP7N60E | ONSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| MGP7N60ED | ONSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor withr Anti-Parallel Diode |
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| MGPN0515-C12 | TE |
获取价格 |
Low Series Resistance |
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| MGPN0515-C12 | MACOM |
获取价格 |
MGPN Series GaAs PIN Diodes |
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| MGPN0518-C12 | TE |
获取价格 |
Low Series Resistance |
|
| MGPN1503-C01A | TE |
获取价格 |
Low Series Resistance |
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| MGPN1504-C01A | TE |
获取价格 |
Low Series Resistance |
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| MGPN1506-C12 | TE |
获取价格 |
Low Series Resistance |
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| MGR | MERITEK |
获取价格 |
Metal Glazed Resistor |
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