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MGJ6D122005SC-R7 PDF预览

MGJ6D122005SC-R7

更新时间： 2024-09-20 15:41:39
品牌 Logo 应用领域
村田 - MURATA /
页数 文件大小 规格书
17页 377K
描述
Power Supply Module,

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MGJ6D122005SC-R7 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.74Base Number Matches：1

MGJ6D122005SC-R7 数据手册

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MGJ6 SIP/DIP Series  
s
5.7kVDC Isolated 6W Gate Drive SIP/DIP DC-DC Converters  
SELECTION GUIDE  
Output 1  
Output 2  
Input  
Voltage  
Range  
Typical  
Application  
FEATURES  
„ꢀPatent protected  
V
mA  
W
V
mA  
W
Order Code1  
V
See page 3  
IGBT  
MGJ6D051510DC  
4.5 - 9  
+15  
+15  
+15  
+20  
+20  
+20  
+15  
+15  
+15  
+15  
+15  
+15  
+20  
+20  
+20  
+15  
+15  
+15  
240  
240  
240  
240  
240  
240  
300  
300  
300  
240  
240  
240  
240  
240  
240  
300  
300  
300  
3.6  
3.6  
3.6  
4.8  
4.8  
4.8  
4.5  
4.5  
4.5  
3.6  
3.6  
3.6  
4.8  
4.8  
4.8  
4.5  
4.5  
4.5  
-10  
-10  
-10  
-5  
240  
240  
240  
240  
240  
240  
300  
300  
300  
240  
240  
240  
240  
240  
240  
300  
300  
300  
2.4  
2.4  
2.4  
1.2  
1.2  
1.2  
1.5  
1.5  
1.5  
2.4  
2.4  
2.4  
1.2  
1.2  
1.2  
1.5  
1.5  
1.5  
„ꢀNo opto feedback  
MGJ6D121510DC  
MGJ6D241510DC  
MGJ6D052005DC  
MGJ6D122005DC  
MGJ6D242005DC  
MGJ6D051505DC  
MGJ6D121505DC  
MGJ6D241505DC  
MGJ6D051510SC  
MGJ6D121510SC  
MGJ6D241510SC  
MGJ6D052005SC  
MGJ6D122005SC  
MGJ6D242005SC  
MGJ6D051505SC  
MGJ6D121505SC  
MGJ6D241505SC  
9 - 18  
18 - 36  
4.5 - 9  
9 - 18  
IGBT  
IGBT  
„ꢀOptimised bipolar output voltages for IGBT/  
„ꢀSiC & MOSFET gate drives  
„ꢀConfigurable dual outputs for all gate drive ꢀ  
„ꢀꢀꢀapplications:  
SiC  
SiC  
-5  
DIP  
+15V/-5V, +15V/-10V & +20V/-5V outputs  
18 - 36  
4.5 - 9  
9 - 18  
SiC  
-5  
„ꢀReinforced insulation to UL60950  
„ꢀꢀrecognised  
MOSFET  
MOSFET  
MOSFET  
IGBT  
-5  
„ꢀANSI/AAMI ES60601-1, 2MOPP recognised  
-5  
„ꢀCharacterised dv/dt immunity 80kV/ s at  
μ
18 - 36  
4.5 - 9  
9 - 18  
-5  
1.6kV  
-10  
-10  
-10  
-5  
„ꢀCharacterised partial discharge performance  
„ꢀ5.7kVDC isolation test voltage ‘Hi Pot Test’  
„ꢀUltra low coupling capacitance 15pF  
„ꢀDC link voltage 3kVDC  
IGBT  
18 - 36  
4.5 - 9  
9 - 18  
IGBT  
SiC  
SiC  
-5  
SIP  
„ꢀ5V, 12V & 24V input voltages  
„ꢀ105°C operating temperature  
18 - 36  
4.5 - 9  
9 - 18  
SiC  
-5  
MOSFET  
MOSFET  
MOSFET  
-5  
PRODUCT OVERVIEW  
-5  
Offering configurable dual output voltages of +15V/-  
10V, +20V/-5V and +15V/-5V, the MGJ6 series of  
DC-DC converters is ideal for powering ‘high side’  
and ‘low side’ gate drive circuits for IGBTs, Silicon  
Carbide and MOSFETs in bridge circuits.  
18 - 36  
-5  
A choice of asymmetric output voltages allows  
optimum drive levels for best system efficiency  
and EMI. The MGJ6 series is characterised for high  
isolation and dv/dt requirements commonly seen in  
bridge circuits used in motor drives and inverters.  
A disable/frequency synchronisation pin simplifies  
EMC filter design. The MGJ6 protection features  
include short circuit protection and overload  
protection.  
For full details go to  
www.murata-ps.com/rohs  
1. Components are supplied in tray packaging, please refer to package specification section for more details.  
All specifications typical at T =25°C, nominal input voltage and rated output current unless otherwise specified.  
A
www.murata-ps.com/support  
KDC_MGJ6C-SCDC.C05 Page 1 of 17  
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