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MGFS36E3436A

更新时间： 2024-01-30 11:02:29

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三菱 - MITSUBISHI		射频和微波射频放大器微波放大器
页数	文件大小	规格书
8页	127K
描述
3.4-3.6GHz HBT HYBRID IC

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MGFS36E3436A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	30 dB	最大输入功率 (CW)：	5 dBm
最大工作频率：	3600 MHz	最小工作频率：	3400 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
射频/微波设备类型：	NARROW BAND MEDIUM POWER	Base Number Matches：	1

MGFS36E3436A 数据手册

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR

MGFS36E3436A

Specifications are subject to change without notice.

3.4-3.6GHz HBT HYBRID IC

Outline Drawing

4.5

1.0

DESCRIPTION

MGFS36E3436A is a GaAs RF amplifier designed

for WiMAX CPE.

36E

FEATURES

• InGaP HBT Device

• 6V Operation

• 30dB Linear Gain

• 2.5% EVM at an Output power of 25dBm

• 4% EVM at an Output power of 27dBm

• Integrated Output Power Detector

• Integrated 1-bit 21dB Step Attenuator

• 50Ω Matched Input/Output Ports

• Surface Mount Package

• RoHS Compliant Package

3436A

2527

4.5

(Lot No.)

Vc (Vcb)

Vc (Vc1)

Vc (Vc2)

Vc (Vc3)

Pout

Po_det

GND

APPLICATIONS

Vref

IEEE802.16-2004, IEEE802.16e-2005

10 Vcont

DIM IN mm

(X-ray Top View)

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

Vc1

Vc2

Vc3

1000pF

Pout

Vcont

(0/3V)

Po_det

Bias Circuit

Vcb

33kohms

15kohm

1000pF

Vref

Mitsubishi Electric Corporation puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable, but there is always

the possibility that trouble may occur with them. Trouble with semiconductors may lead to personal injury, fire or property damage.

Remember to give due consideration to safety when making your circuit designs, with appropriate measures such as (i)placement of

substitutive, auxiliary, circuits, (ii)use of non-flammable material or (iii)prevention against any malfunction or mishap.

MITSUBISHI ELECTRIC CORP.

(1/8)

July-2008

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