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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 260K |  |
| 描述 | ||
| 4.4-5.0GHz BAND 24W INTERNALLY MATCHED GaAs FET | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFC44V5964 | MITSUBISHI |
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5.9-6.4GHz BAND 24W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC44V5964_97 | MITSUBISHI |
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5.9-6.4GHz BAND 24W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC44V5964-01 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC44V5964-51 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC44V6472 | MITSUBISHI |
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6.4-7.2GHz BAND 24W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC44V6472_97 | MITSUBISHI |
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6.4-7.2GHz BAND 24W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC44V6472-01 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC44V6472-51 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC44V7177 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERME |
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| MGFC45B3436B | MITSUBISHI |
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3.4 - 3.6GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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