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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> MGFC44V3436
MGFC44V3436 PDF预览

MGFC44V3436

更新时间： 2024-09-22 22:40:03
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
1页 22K
描述
3.4-3.6GHz BAND 25W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

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MGFC44V3436 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：10 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：6.4 A
FET 技术：JUNCTION最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：125 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

MGFC44V3436 数据手册

  
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>  
MGFC44V3436  
3.4~3.6GHz BAND 25W INTERNALLY MATCHED GaAs FET  
DESCRIPTION  
The MGFC44V3436 is an internally impedance matched  
GaAs power FET especially designed for use in 3.4~3.6  
GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic  
package guarantees high reliability.  
Until : millimeters (inches)  
OUTLINE DRAWING  
(1)  
FEATURES (TARGET)  
Class A operation  
Internally matched to 50 (W) system  
High output power  
(2)  
P1dB=25W (TYP.) @f=3.4~3.6GHz  
High power gain  
GLP=12dB (TYP.) @f=3.4~3.6GHz  
High power added efficiency  
P.A.E.=36% (TYP.) @f=3.4~3.6GHz  
(3)  
Loe distortion [item -51]  
IM3= -45dBc (TYP.) @Po=33.5dBm S.C.L.  
APPLICATION  
item 01 : 3.4~3.6GHz band power amplifier  
item 51 : 3.4~3.6GHz band digital radio communication  
QUALITY GRADE  
IG  
(2) Source (FLANGE)  
(3) DRAIN  
RECOMMENDED BIAS CONDITIONS  
VDS=10V  
ID=6.4A  
GF-38  
RG=25W  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)  
Symbol  
VGDO  
Parameter  
Gate to drain voltage  
Gate to source voltage  
Ratings  
-15  
Unit  
V
< Keep safety first in your circuit designs! >  
Mitsubishi Electric Corporation puts the maximum effort into  
making semiconductor products better and more reliable,  
but there is always the possibility that trouble may occur  
injury, fire or property damage. Remember to give due  
consideration to safety when making your circuit designs,  
with appropriate measures such as (i)placement of  
-15  
V
VGSO  
Drain current  
20  
-60  
A
mA  
mA  
W
ID  
Reverse gate current  
Forward gate current  
Total power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
IGR  
IGF  
126  
*1  
125  
PT  
175  
°C  
°C  
Tch  
substitutive, auxiliary circuits, (ii)use of non-flammable  
material or (iii)prevention against any malfunction or mishap.  
-65 ~ +175  
Tstg  
*1 : Tc=25°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C)  
Limits  
Test conditions  
Unit  
A
Symbol  
Parameter  
Min.  
—
Typ.  
18  
Max  
—
IDSS  
Saturated drain current  
Transconductance  
VDS=3V, VGS=0V  
VDS=3V, ID=6.4A  
VDS=3V, ID=120mA  
gm  
—
6.5  
—
—
S
V
VGS (off)  
Gate to source cut off voltage  
-2  
-5  
Output power at 1dB gain  
compression  
P1dB  
43  
44  
—
dBm  
dB  
GLP  
ID  
Linear power gain  
Drain current  
VDS=10V, ID (RF off)=6.4A, f=3.4-3.6GHz  
11  
—
12  
6.4  
36  
—
—
A
%
P.A.E.  
Power added efficiency  
3rd order IM distortion  
—
—
IM3  
*2  
—
-42  
—
-45  
—
dBc  
°C/W  
DVf method  
Rth (ch-c) Thermal resistance  
*3  
1.2  
*2 : item-51, 2 tone test, Po=33.5dBm Single Carrier Level, f=3.4, 3.5, 3.6GHz, Df=10MHz  
*3 : Channel to case  
as of Feb.'98  
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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