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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 12页 | 757K |  |
| 描述 | ||
| RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-6 | ||
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MGFC4416D-03 | MITSUBISHI | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGFC4417D-02 | MITSUBISHI | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGFC4417D-03 | MITSUBISHI | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGFC4418D-02 | MITSUBISHI | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGFC4418D-03 | MITSUBISHI | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MGFC4418E-03 | MITSUBISHI | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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