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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | C BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 42.8 W | 最小功率增益 (Gp)： | 8 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFC40V5964 | MITSUBISHI |
获取价格 |
5.9 ~ 6.4GHz BAND 10W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC40V5964_04 | MITSUBISHI |
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5.9 ~ 6.4GHz BAND 10W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC40V5964_11 | MITSUBISHI |
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C band internally matched power GaAs FET |
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| MGFC40V5964-51 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC40V5964A | MITSUBISHI |
获取价格 |
5.9 - 6.4GHz BAND 10W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC40V5964A-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFC40V6472 | MITSUBISHI |
获取价格 |
6.4- 7.2GHz BAND 10W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC40V6472_04 | MITSUBISHI |
获取价格 |
6.4 - 7.2GHz BAND 10W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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| MGFC40V6472-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
|
| MGFC40V6472A | MITSUBISHI |
获取价格 |
6.4 - 7.2GHz BAND 10W INTERNALLY MATCHED GaAs FET |
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