Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> MGA-83563-TR2G

MGA-83563-TR2G

更新时间： 2024-11-06 12:02:59

品牌	Logo	应用领域
安华高科 - AVAGO		射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器
页数	文件大小	规格书
22页	325K
描述
22 dBm PSAT 3V Power Amplifier for 0.5â 6 GHz Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MGA-83563-TR2G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP6,.08
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	5A991.G
HTS代码：	8542.33.00.01	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	17 dB
最大输入功率 (CW)：	13 dBm	JESD-609代码：	e3
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	6	最大工作频率：	6000 MHz
最小工作频率：	500 MHz	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	TSSOP6,.08	电源：	3 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	200 mA	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Matte Tin (Sn)
最大电压驻波比：	4.5	Base Number Matches：	1

MGA-83563-TR2G 数据手册

MGA-83563

+22 dBm P_SAT3V Power Ampliﬁer

for 0.5 – 6 GHz Applications

Data Sheet

Description

Features

ꢀ Lead-free Option Available

ꢀ +22 dBm P_SATat 2.4 GHz, 3.0V

+23 dBm P_SATat 2.4 GHz, 3.6V

ꢀ 22 dB Small Signal Gain at 2.4 GHz

ꢀ Wide Frequency Range 0.5 to 6 GHz

ꢀ Single 3V Supply

Avago’s MGA-83563 is an easy-to-use GaAs RFIC ampliﬁer

that oﬀers excellent power output and eﬃciency. This

part is targeted for 3V applications where constant-en-

velope modulation is used. The output of the ampliﬁer is

matched internally to 50Ω. However, an external match

can be added for maximum eﬃciency and power out

(PAE = 37%, P_o= 22 dBm). The input is easily matched

to 50 Ω.

ꢀ 37% Power Added Eﬃciency

ꢀ Ultra Miniature Package

Due to the high power output of this device, it is recom-

mended for use under a speciﬁc set of operating condi-

tions. The thermal sections of the Applications Informa-

tion explain this in detail.

Applications

The circuit uses state-of-the-art PHEMT technology with

proven reliability. On-chip bias circuitry allows operation

from single supply voltage.

ꢀ Ampliﬁer for Driver and Output Applications

Surface Mount Package

SOT-363 (SC-70)

Equivalent Circuit

(Simpliﬁed)

OUTPUT

and V

INPUT

BIAS

Pin Connections and Package Marking

BIAS

GROUND

OUTPUT

and V

GND

Attention: Observe precautions for

handling electrostatic sensitive devices.

ESD Human Body Model (Class 0)

GND

INPUT

Refer to Avago Application Note A004R:

Electrostatic Discharge Damage and Control.

Note:

Package marking provides orientation and identiﬁcation;

“x”is date code.

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

与MGA-83563-TR2G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MGA-85563	HP	获取价格	3-volt, Low Noise Amplifier for 0.8- 6 GHz Applications
MGA-85563	AGILENT	获取价格	3-volt, Low Noise Amplifier for 0.8? 6 GHz Applications
MGA-85563-BLK	AGILENT	获取价格	3-volt, Low Noise Amplifier for 0.8? 6 GHz Applications
MGA-85563-BLK	HP	获取价格	3-volt, Low Noise Amplifier for 0.8- 6 GHz Applications
MGA-85563-BLKG	AVAGO	获取价格	800MHz - 6000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, LEAD FREE, ULTRA MINIATURE, S
MGA-85563-TR1	HP	获取价格	3-volt, Low Noise Amplifier for 0.8- 6 GHz Applications
MGA-85563-TR1	AGILENT	获取价格	3-volt, Low Noise Amplifier for 0.8? 6 GHz Applications
MGA-85563-TR1G	AGILENT	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 800MHz Min, 6000MHz Max, 1 Func, GAAS, LEAD FREE, SC-70, SO
MGA-85563-TR1G	AVAGO	获取价格	800MHz - 6000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, LEAD FREE, ULTRA MINIATURE, S
MGA-85563-TR2	AGILENT	获取价格	Wide Band Low Power Amplifier, 800MHz Min, 6000MHz Max, 1 Func, GAAS, SC-70, SOT-343, 4 PI

与MGA-83563-TR2G相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MGA-83563-TR2G

MGA-83563-TR2G 技术参数

MGA-83563-TR2G 数据手册

与MGA-83563-TR2G相关器件

与MGA-83563-TR2G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MGA-83563-TR2G

MGA-83563-TR2G 技术参数

MGA-83563-TR2G 数据手册

与MGA-83563-TR2G相关器件

与MGA-83563-TR2G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？