Datasheet > 晶体管 > IGBT> MG75J6ES50

MG75J6ES50

更新时间： 2024-10-31 22:18:19

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体开关晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
6页	308K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MG75J6ES50 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X19
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH SPEED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：	300 ns	门极发射器阈值电压最大值：	8 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X19
元件数量：	6	端子数量：	19
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	390 W	最大功率耗散 (Abs)：	390 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	240 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	500 ns
标称接通时间 (ton)：	400 ns	VCEsat-Max：	2.7 V
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MWI75-06A7	IXYS	功能相似	MWI75-06A7

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MG75M1BK1	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 75 A, 880 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-80B1A, 5 PIN, BIP General Purpose Pow
MG75M2CK1	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 75 A, 880 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-80B1A, 5 PIN, BIP General
MG75M2YK1	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 75 A, 880 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-108A1A, 7 PIN, BIP General
MG75M2YL1	ETC	获取价格	TRANSISTOR MODULES
MG75N2YK1	ETC	获取价格	TRANSISTOR MODULES
MG75N2YL1	ETC	获取价格	TRANSISTOR MODULES
MG75N2YS1	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 75 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, 2-108A2A, 7 PIN, Insulated Gate BIP Transistor
MG75N2YS40	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 75 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
MG75P	OKI	获取价格	0.25レm Sea of Gates and Customer Structured A
MG75P12E2	YANGJIE	获取价格	E2